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IRF7703GPbF
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = -6.0
V DS = -32V
V DS = -20V
10000
1000
Coss
Ciss
Crss
12
8
4
100
1
10
100
0
0
30
60
90
120
150
-V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
100
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
T J = 150 ° C
10
10
100μsec
1msec
1
T J = 25 ° C
1
10msec
Tc = 25°C
Tj = 150°C
0.1
0.4
V GS = 0 V
0.6        0.8        1.0
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
0.1
0
Single Pulse
1 10 100
-V DS , Drain-toSource Voltage (V)
1000
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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